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      原子層沉積系統含臭氧發生器參數介紹
      來源: 臭氧反應器 發布時間:2023-05-17 瀏覽次數:

       原子層沉積系統含臭氧發生器參數介紹
      原子層沉積 ( Atomic layer deposition, ALD )是通過將氣相前驅體脈沖交替的通入反應器,化學吸附在沉積襯底上 并反應 形成沉積膜的一種方法,是一種可以將物質以單原子 膜形式 逐層的鍍在襯底表面的方法。因此,它是一種真正的“納米”技術,以精確控制方式實現納米級的超薄薄膜沉積。由于 ALD 利用的是飽和化學吸附的特性,因此可以確保對大面積、多空、管狀、粉末或其他復雜形狀基體的高保形的均勻沉積。

      序號 參數
      一.使用環境要求: 1.溫度:室溫
      2.相對濕度:小于60%
      3.電源:50-60Hz, 220V /15A
      二.設備組成: 1.最大直徑6英寸(150毫米)基片尺寸的原子層沉積系統,包括6路前驅體源輸運系統
      2.電控系統:PLC沉積自動控制系統            
      3.操作軟件:沉積程序控制軟件                  
      4.真空機械泵與相關管路
      三.技術參數: 1.反應腔
      316L不銹鋼??梢陨L最大6 英寸樣品的腔體,氮氣保護的雙O-Ring 高溫密封系統,有效隔絕其他氣體滲漏?;准訜釡囟萊T-400℃可控,控制精度±1℃。腔體烘烤溫度RT-200℃可控,控制精度±1℃。
      反應腔內具有可拆卸更換擋版以方便維護。
      反應腔采用專業級噴淋淋浴式前驅體勻氣裝置設計,可是前驅體充分、均勻的擴散,保證工藝的均勻性。
      反應腔體及真空腔體的密封蓋的上方是ICP等離子體發生腔,投標貨物中腔體采用側面進樣,且接口為標準法蘭,可直接配備插板閥以及手套箱。
        2.沉積模式
      包括以下3種工作模式:高速沉積的連續模式,沉積超高寬深比結構的停流模式,實現氧化物精確比例摻雜沉積的專業沉積模式。
        3.前驅體源輸運系統
      共6路前驅體源,1路為常溫源,可接水和臭氧/氨氣/H2S等氣體;5路為加熱源,加熱溫度RT-200℃可控,控制精度±1℃。加熱源配備耐高溫(325°C)手動閥,以及前驅體源瓶體積50cc。
        4.  前驅體管路
      所有前驅體管路須全部采用進口316L不銹鋼EP級管路,所有管路加熱溫度RT-200可控。管路腔體清洗維護簡便,設備具有"自動清洗"的功能,用戶在沉積前與沉積完成后運行""自動清洗"程序, 清洗管路, 保護ALD閥門??稍诓僮鹘缑嫔显O置自動清洗次數。
        5. ALD閥
      每一路前驅體配置一個原子層沉積專用高速高溫ALD閥(Swagelok進口),ALD閥加熱溫度RT-200℃可控。 ALD閥最小脈沖時間~10 mesh。
        6.載氣系統
      N2或者Ar,須配備流量計,流量控制0-500sccm
        7.配備等離子體(ICP)系統
      電感耦合ICP等離子體系統,位于腔體正上方,等離子體開關在控制界面內設置。等離子體氣源:提供3路可用于等離子體工藝的氣路,包含ALD 專用隔膜閥,手動截止閥和質量流量控制器。射頻電源頻率13.56 MHZ,功率0-500 W可調,功率不穩定度小于等于2W,自動匹配調節,配備自動匹配器,匹配精度不大于5 秒。
        8.真空規
      寬范圍真空規測量范圍10E-4Torr~10E+3Torr,備用真空規一個用于校驗真空。
        9.排氣管路
      排氣管路加熱溫度RT-150℃可控;配置截止閥一個,加熱溫度RT-150℃可控。真空泵配置前級熱阱,最高加熱溫度可達到300℃,溫度控制精度為±1℃。
        10.控制硬件
      采用PLC+PC控制系統,保證設備長時間穩定運行;硬件控制系統須具備1 毫秒前驅體脈沖時間的精確分辨控制能力,每一前驅體脈沖時間所對應的壓強值必須能重復在同一個水平上,保證進入反應腔的前驅體的量精確可控。
        11.控制軟件
      Windows下的專用全自動控制軟件, 全自動控制加熱、流量、等全部沉積過程,以及溫度、壓強等實時監控。全部沉積過程(從開始到結束,包括突發的停機)的參數實時全部記錄,自動生成日志文件,都可以事后回放,每個脈沖曲線都可以顯示回放
        12.粉體樣品夾具
      用于沉積1~1000 μm的粉體樣品, 一套4個;樣品池尺寸Ф30mmX1.5mm
        13臭氧發生器
      配備臭氧發生器(韓國進口)、裂解器(臭氧破壞器)、控制臭氧的質量流量控制器(量程為0-200 scams),臭氧源系統集成在機柜中;臭氧發生器產量20 g/h,濃度最高可達100 g/m;臭氧發生器采用風冷方式無需配備冷卻水。
        14.真空機械泵系統
      采用惰性泵油的機械泵系統,抽速40m3/h(10L/s),品牌Edwards
        15. 驗收指標
      廠家須提供標準的工藝配方,在滿足第14條工藝要求的同時,按以下內容現場制備與驗收:
      Al2O3 均勻性 ≤+/−1%;
      在4-6英寸晶圓上沉積100nm,取5個不同點(上、下、左、右、中心)進行測試,計算厚度標準偏差。
      在保證以上薄膜質量的前提下,前驅體TMA的脈沖時間不得超過 0.02秒
      測量方法:橢偏儀
      四.安裝培訓: 廠家工程師現場進行安裝與培訓,包括操作,維護及安全使用等,確保人員熟練使用
        主機       數量1套        標準6英寸原子層沉積系統
      包括:
      2 路前驅體源, 包括管路、高溫ALD閥門、50ml 源瓶,1路為加熱源,1路為常溫源
      沉積自動控制系統,
      ALDT沉積程序控制軟件,
      預裝Windows 的品牌筆記本電腦,(14英寸筆記本電腦(i7-8550U 8G 256GSSD+1T 2G獨顯 FHD)
        選配前驅體源 4套:包括管路、加熱套、高溫ALD 閥門、50ml 源瓶(最高可配6路前驅體)
        臭氧發生器系統 1套:韓國進口高濃度臭氧發生器,包括管路,裂解器附件最高產量20g/h,最大濃度8%(w/w)
        粉體樣品夾具1套:用于沉積1~1000 μm 的粉體樣品, 一套4個樣品池尺寸Ф30mmX1.5mm
        ICP等離子體系統 1套:ICP等離子體源系統;
      包括: ICP源0~500W可調;自動匹配器; 等離子體發生器;
      3路等離子體源, 配備質量流量計(MFC),一路為Ar,其他H2,O2, N2, NH3,H2S等氣體可選
        氣路連接配件1套,氧氣/氮氣的減壓閥、管路、接頭等連接附件,用于以上氣體的使用
        備用真空規 1個:用于校準和更換
        真空機械泵系統1套:機械泵與相關管路
      真空機械泵型號:E2M40-F
        運輸與保險: 運到用戶指定地點
        3日現場安裝與培訓
      五、技術指標 1 反應腔
      316L不銹鋼??梢陨L最大6 英寸樣品的腔體,氮氣保護的雙O-Ring 高溫密封系統,有效隔絕其他氣體滲漏?;准訜釡囟萊T-400℃可控,控制精度±1℃。腔體烘烤溫度RT-200℃可控,控制精度±1℃。
      反應腔內具有可拆卸更換擋版以方便維護。
      反應腔采用專業級噴淋淋浴式前驅體勻氣裝置設計,可是前驅體充分、均勻的擴散,保證工藝的均勻性。
      反應腔體及真空腔體的密封蓋的上方是ICP等離子體發生腔,投標貨物中腔體采用側面進樣,且接口為標準法蘭,可直接配備插板閥以及手套箱。
        2  沉積模式
      包括至少以下2種工作模式:高速沉積的連續模式,沉積超高寬深比結構的停流模式,實現氧化物精確比例摻雜沉積的專業沉積模式。
        3     前驅體源:共6路前驅體源;1路為常溫源,5路為加熱源,加熱溫度RT-200℃可控,控制精度±1℃;加熱源配備高溫手動閥;標準前驅體源瓶體積50cc。
      1路為常溫源可接水/臭氧/氧氣/氨氣/H2S源等,制備氧化物,氮化物和硫化物。 任意一路加熱源可接相關前驅體源。0cc。
        4.  前驅體管路
      所有前驅體管路須全部采用進口316L不銹鋼EP級管路,所有管路加熱溫度RT-200℃可控。
        5 ALD閥
      每一路前驅體配置一個原子層沉積專用高速高溫ALD閥(Swagelok進口),ALD閥加熱溫度RT-200℃可控。 ALD閥最小脈沖時間~10 mesh。
        6     真空規    寬范圍真
      空規,測量范圍2x10-4 to 10+3 torr.
        7 排氣管路
      排氣管路加熱溫度RT-150℃可控;配置截止閥一個,加熱溫度RT-150℃可控。真空泵配置前級熱阱,最高加熱溫度可達到300℃,溫度控制精度為±1℃。
        8 臭氧發生器
      配備臭氧發生器(韓國進口)、臭氧破壞器、控制臭氧的質量流量控制器(量程為0-200 scams),臭氧源系統集成在機柜中;臭氧發生器產量20 g/h,濃度最高可達100 g/m;臭氧發生器采用風冷方式無需配備冷卻水。
        7.配備等離子體(ICP)系統
      電感耦合ICP等離子體系統,位于腔體正上方,等離子體開關在控制界面內設置。等離子體氣源:提供3路可用于等離子體工藝的氣路,包含ALD 專用隔膜閥,手動截止閥和質量流量控制器。射頻電源頻率13.56 MHZ,功率0-500 W可調,功率不穩定度小于等于2W,自動匹配調節,配備自動匹配器,匹配精度不大于5 秒。
        10    控制硬件       PLC控制系統。
        11    控制軟件       ALD 專用軟件全自動控制加熱、流量、等全部沉積過程,以及溫度、壓強等實時監控。
        12    真空機械泵    愛德華進口機械泵
        13    安裝培訓       工程師現場安裝培訓。
        14    保修       3年免費保修,自驗收之日起。